纳米材料吸收带变宽-纳米吸收材料是什么

接下来为大家讲解纳米材料吸收带变宽，以及纳米吸收材料是什么涉及的相关信息，愿对你有所帮助。

简略信息一览：

• 1、.分析原子吸收光谱分析中谱线变宽的原因
• 2、为什么纳米半导体材料的带隙要比其对应的块体材料要大
• 3、纳米材料的物理化学特性
• 4、纳米粒径的大小是否与光催化效果有关?

.分析原子吸收光谱分析中谱线变宽的原因

1、原子谱线变宽的主要因素有如下：自然宽度：原子吸收线的自然宽度与激发态的平均寿命有关，激发态的原子寿命越长，则吸收线的自然宽度越窄，其平均寿命约为10－8s数量级，一般来说，其自然宽度为10－5nm数量级。

2、【答案】：引起谱线展宽的原因可分为两类：一类是由原子的性质决定的，如自然线宽；另一类是外界因素引起的，如热展宽、碰撞展宽等。

3、是谱线变宽的主要原因。③压力变宽：由于吸光原子与蒸气中原子或分子相互碰撞而引起的能级稍微变化，使发射或吸收光量子频率改变而导致的谱线变宽。

为什么纳米半导体材料的带隙要比其对应的块体材料要大

1、间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。

2、半导体纳米粒子的电子态由体相材料的连续能带随着尺寸的减小过渡到具有分立结构的能级，表现在吸收光谱上就是从没有结构的宽吸收带过渡到具有结构的吸收特性。

3、直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。

4、为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般***用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶（即体单晶）制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。

纳米材料的物理化学特性

1、纳米材料的特点：（1）表面与界面效应。主要原因就在于直径减少，表面原子数量增多。（2）小尺寸效应。

2、纳米材料是指由极细晶粒组成，特征维度尺寸在纳米量级（1~100nm）的固态材料。

3、特性：表面效应：随着颗粒直径变小，比表面积（表面积 / 体积）将会显着增大，表面原子所占的百分数将会显着地增加。表面原子极号迁移，使颗粒物理性能发生极大变化。

4、小尺寸效应当纳米微粒尺寸与光波波长，传导电子的德布罗意波长及超导态的相干长度、透射深度等物理特征尺寸相当或更小时，它的周期性边界被破坏，从而使其声、光、电、磁，热力学等性能呈现出“新奇”的现象。

纳米粒径的大小是否与光催化效果有关?

1、纳米粒于作催化剂，可大大提高反应效率，控制反应速度，甚至使原来不能进行的反应也能进行。纳米微粒作催化剂比一般催化剂的反应速度提高10～15倍。 纳米微粒作为催化剂应用较多的是半导体光催化剂，特别是在有机物制备方面。

2、光谱表现明显的蓝移或红移现象等。除上述的基本特性，纳米材料还具有特殊的光学 性质、催化性质、光催化性质、光电化学性质、化学反应性质、化学反应动力学性质 和特殊的物理机械性质。

3、这种局部的场强效应，对半导体纳米粒子的光物理及非线性光学特性有直接的影响。

4、虽然锐钛矿需要略多的能量来激发，但是同样的锐钛矿的二氧化钛光触媒具有更强的氧化能力，所以被更为广泛的使用。有研究表明接近7nm粒径时，锐钛矿要比金红石更为稳定，这也是很多纳米光触媒***用锐钛型的原因。

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